RU1H190S دیتاشیت

RU1H190S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1H190S
حجم فایل 72.227 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU1H190S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU1H190S
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 333W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 158nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.5nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 190A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 650pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5mΩ@10V,80A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه